[H8-ML(159)] 内部メモリなら2倍速い
From: Noboru Aoki <ji1nzl@xxxxxxxxxxxxxxx>
Date: 1999年06月01日(火)20時17分58秒
今 H8S/2357 の仕様を読んでいます。外部バスにメモリを
出すと、基本ステートが2ステート、または3ステート
と内部ROM、内部RAM のアクセス速度の2〜3倍になり
遅くなってしまうのを知りました。

これらを最速20MHz で動作させるには、アクセス速度
75nS以下の小電力型 SRAM が適合しているのを見つけました。
HITACHIからは、55nS/70nS アクセス速度のSRAMが出ていました。
私のPentium 90MHz, Bus 60MHz 上のDRAMは 70nS 品ですから
このクラスのパソコンの速度を20MHz動作のH8 のほうが
シングルチップモードではメモリ動作だけで2倍くらい高速に
動きそうです。(演算速度よりメモリアクセスの比重が大部分
の応用の場合では)
...ということで、外部メモリを使わないシングルチップモードが
最も高速動作できそう。モニタでのデバッグでは難がありますが。。。

ちょっとSRAMの各社仕様を調べました。最高速の壁は、主流各社
ともほぼ同じところにいました。
2nS とかの超高速SRAMは、高速CPUの外部キャッシュ用でした。
10nS あたりの品が、今のところ各社市場のSRAMの
最高速度のようです。(H8の応用には使えるが適当な選択肢
ではないですが)

SH-4 PCI 付の 340 MIPS には たまげました。

が、半導体など部品市場は不振のようで、部品販売ではいくら
のもうけもでないので、いかに魅力ある応用を実現したシステ
ムを構成できるかが勝負どころでしょうか。

市場のパソコンはCPUなどハードが高速化する一方、それ以上
に主流基本ソフトが低速化し、メモリやハードディスク資源を
無駄に使う傾向が見られるので、ここも勝負どころと思います。

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