わさびぃさん、はじめまして、鈴木と申します。 これまでのメールを総合すると以下の環境でお使いかと思います。 1)CPUコア H8-3068F ( *1 ) 2)クロックφ 25MHz 3)動作モード モード6 4)アドレスバス A16〜A0 （ エリア１ ） 5)データバス D15〜D8 （ 上位8bit ) 先ずEEPROM（型式Atmel AT28C010-20 汎用）の件ですが、 http://www.atmel.com/atmel/acrobat/doc0010.pdf のデータシートを見ますと、このEEPROMは通常のSRAMのような Read/Writeサイクルで使用できるようです。 また、書込み及び消去電圧もＶｃｃ電圧5Vで良いようです。 但し、注意しなければならないのはＴｗｃ=10msecの規定です。 この意味は、通常のバイトの書込みではデータを書き込んだあと、 次にデータを書きこむには、最低Twc時間（10msec)は間をあける 必要があると言う意味です。 データシートでTwcの値がMAX値で規定されているのは、デバイス 側がこの時間を最大10msec必要とすると言う意味です。 しかし、この方法では大量のデータを書き込むには時間がかかり 過ぎるため、別にページライトモードが用意されています。 AT28C010では127Bytesをまとめて書き込んだ後、Twc(10msec)待 てば自動的に内部に一括で書き込みが終わるモードです。 メモリ側に127Bytesのデータバッファがあると思えば良いでしょう。 どちらの使い方をされるのか判りませんが、ポイントはＴｗｃを守る ことです。普通はＴｗｃよりも短い時間でも書き込みは成功する筈 ですが、ソフトウエアによって書き込んだデータと数回繰り返して 読み出したデータがするかどうかをチェックすれば確実です。 また、非常に重要なデータ群ならば必ずチェックサムをとり固定アド レスに書き込むようにすれば良いでしょう。 以下、蛇足です。 モード６をお使いのようですが、特にハード上の要請がなければ モード５をお勧めします。 その理由は、モード５でも外部メモリ空間を持てることと、内臓 I/O 空間がモード７と同じなのでプログラム変更が少なくて済むこと （モニタプログラムなどがそのまま使えます）、更に無駄なアドレス 信号などを用意しなくても良いので、その分を外部I/Oに割り当て られる等のメリットがあります。 それと、今回は128KB(1Mbit)の不揮発性メモリをお使いですが、 大容量のEEPROMは書き込み時間がバカにならないので、書き込 み時間に余裕がない場合はローパワーのSRAMを電池バックアップ した方が速くて使いやすいと思います。
