[H8-ML(4522)] Re: 最近の三岩ネットワークボードの事情
From: hamayan <hamayan@xxxxxxxxxxxxxxxx>
Date: 2004年02月29日(日)10時58分41秒
hamayan です。

HSSR> BE=1、RDM=0で設定と言うことですよね?
HSSR> EDO-RAMでもファーストページモード使えると言うことでしょうか?
HSSR> メモリ周り詳しくないのでどなたか解説願えますでしょうか
HSSR> データシートを見てBEが常にフルアクセスかどうかのフラグと言うこととRDMが
HSSR> RASダウンモード(?)のフラグだと言うことまではわかりました

国内の殆どのDRAMメーカーがデータシートの入手さえ困難な状況の中で、
沖電気はまだデータシートの入手が可能でした。今の内にダウンロード
して置いた方がいいでしょう。
解説するにはまず、5117805と5117800の二種類のデータシートと、H8/3069F
のデータシートを手に入れてください。

まずH8/3069Fですが、RASダウンモードのタイミングチャートを見ると、DRAM
にアクセス中に、RASを解除せずに一旦別のメモリ空間へのアクセスが可能な
事が判ります。
この様な状況は、良く有る事だと思います。例えばROMデバッカでデバックし
ている時などは、プログラムコードはRAM上に有り、別空間にRTL8019ASが有る
と言った状況ですね。
別空間のアクセス時には、一旦CASはネゲート(この場合はHに遷移)しています。

5117800のFAST PAGEモードのREAD時のタイミングを見て下さい。
データが無効(Hi-Z)に遷移する時間(TOFF)は、CASのネゲートから規定されて
います。

5117805のFAST PAGEモードのREAD時のタイミングを見て下さい。
データが無効(Hi-Z)に遷移する時間(TDOH)は、なんと次のCASのアサート(この
場合はLに遷移)から規定されています。

つまりRASダウンモードで設定された場合、別空間のアクセスを行った時に、
DRAMの出力を制御できず、データバス上で衝突が発生している事がデータシート
から想像できます。

シンクロで確認した訳ではありませんが、私はこの様に想像しています。

RASアップモードにすれば、一旦RASがネゲートされるので、データバス上の衝突
は無いと思われます。但し、再びRAMにアクセスする時はRASサイクルから始まる
ので、ちょっとパフォーマンスが落ちるかもしれません。

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