澤口@一升金です。 Kazuaki Kameiさんの<009a01c3ae33$36a983f0$39d91281@EE501>から >例えば、日立の無料サンプルのページで MOS ＦＥＴ を調べて >見てください。 6mm角位の大きさで PWMなら 30A 位流せる >ものがあります。 これなら入るのでは？ と考えています 入るだけなら入るでしょうが、インダクタンスが絡んでいるとき のＭＯＳ素子の発熱量推定はけっこうやっかいです。 定常状態ではＯＮ抵抗と電流値だけで損失が決まるのですが、高 速スイッチングですと半ＯＦＦ（ＯＮからＯＦＦへの移行過程）で も電流が流れていますので。 また、ドライブも容量負荷になりますので、あるいはドライバＩＣ を別につけないとポートだけの電流容量では高速ドライブできない こともあります。 最初から狭い基板に詰め込むのではなく、実験と割り切って計測が しやすいように広めに配置する方がいいでしょう。 本当は、パワー制御実験ではオシロなしで最適化はちょっと難しい のですが。オーバーシュートとかリンギングが起こっているとかど うかはモーターの動作だけでは分かりませんねぇ。
